隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展和超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)制造能力的不斷提升，激光退火技術(shù)逐漸取代傳統(tǒng)爐管退火技術(shù)，成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的主流技術(shù)。激光退火相對于傳統(tǒng)退火，具有選區(qū)加熱、閉環(huán)精準(zhǔn)控溫、高能量密度、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)，能夠滿足均溫退火、尖峰退火和快閃退火等多種退火工藝需求。

應(yīng)用

激光退火（Laser Annealing）是28 nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關(guān)鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導(dǎo)體激光光源，通過多組不同功能的激光光學(xué)整形系統(tǒng)及光學(xué)勻化系統(tǒng)，在工作距離下可達(dá)成12 mm*70μm的極窄線激光光斑，將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時(shí)間內(nèi)將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻，從而有效減少前道工序中產(chǎn)生的晶圓電極缺陷，提高產(chǎn)品性能，提升晶圓生產(chǎn)良品率。

產(chǎn)品

炬光科技推出的DLight®S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合了產(chǎn)生光子的共晶鍵合技術(shù)、激光光源熱管理技術(shù)、熱應(yīng)力控制技術(shù)以及調(diào)控光子的激光光束轉(zhuǎn)換技術(shù)和光場勻化技術(shù)，可生成一條線寬70 μm，長寬比達(dá)160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達(dá)1800 W/mm2的連續(xù)能量輸出，在光斑長度方向上可達(dá)到＞95%的光斑均勻性和＞98%的連續(xù)輸出能量穩(wěn)定性，同時(shí)還具備工藝點(diǎn)溫度監(jiān)測、輸出光束質(zhì)量在線檢測等附加功能。

其關(guān)鍵性能指標(biāo)有（參考圖片測試數(shù)據(jù)）：

DLight®S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)在設(shè)計(jì)時(shí)充分考慮了加工效率、維護(hù)便捷性、產(chǎn)品可靠性及可拓展性，具有極佳的性能優(yōu)勢，可應(yīng)用在半導(dǎo)體前道工序中，完成動(dòng)態(tài)表面退火（DSA）、激光尖峰退火（LSA）等加工工藝。 

典型產(chǎn)品測試數(shù)據(jù)

DLight®S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)

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