2023年9月1日，長飛先進半導體武漢基地開工儀式在光谷科學島圓滿舉行。長飛先進總裁陳重國及公司中高級管理人員齊聚一堂，共同見證了公司在第三代半導體領域邁出的關鍵一步。

開工儀式上，長飛先進總裁陳重國、運營副總裁徐德明分別致辭，對項目的開工表示了熱烈祝賀。徐德明表示，因為對第三代半導體同樣的信仰，讓我們今天相聚在長飛先進，共同立在時代的潮頭。只要方向和方法正確，堅持下去一定會實現(xiàn)目標。我們對此充滿信心，相信武漢基地的建設將會成為公司發(fā)展強大的助推器，推動長飛先進成為中國第三代半導體產業(yè)領頭羊，競逐國際市場。

陳重國在致辭時指出，在碳化硅行業(yè)，“產能為王”一直是行業(yè)關鍵詞，尤其是隨著800V新能源汽車的推出，2025年碳化硅市場將迎來全面爆發(fā)。為此，公司于2022年重組就已經開始前瞻性規(guī)劃武漢基地的建設，此后一路加快步伐，并于今日迎來正式開工。

他表示，武漢基地的順利開工，標志著公司在第三代半導體領域邁出了重要一步，將為公司在碳化硅產業(yè)的高速發(fā)展注入強大的動力，在降低成本的同時，也為后續(xù)業(yè)務進一步拓展及客戶服務提供充足的產能保障。

長飛先進半導體武漢基地位于光谷科學島，項目總投資預計超過200億元。其中，項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。一期項目預計2025年建設完成，屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地，公司產能規(guī)模將居行業(yè)絕對領先地位。

陳重國表示，半導體行業(yè)門檻非常高，但越高也就代表著硬實力越重要。對于長飛先進而言，如今，人才、資金、廠房均已就位，接下來要做的就是沉下心來埋頭苦干，把產品做好，相信幾年之后一定會是一番新天地。

立足新起點，開啟新征程。以此次武漢基地開工儀式為契機，長飛先進將不斷加快碳化硅產業(yè)建設步伐，加強關鍵核心技術攻關和創(chuàng)新突破，朝著“世界領先的寬禁帶半導體”公司加速前進。

據悉，安徽長飛先進半導體有限公司成立于2018年，注冊資本14,963.6604萬元，專注于碳化硅功率半導體產品研發(fā)及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發(fā)能力。

公司可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管，致力于提供高品質的服務，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。

日前，長飛先進半導體完成了超38億元A輪股權融資，融資規(guī)模創(chuàng)國內第三代半導體私募股權融資規(guī)模歷史之最，并刷新2023年以來半導體私募股權融資市場單筆最大融資規(guī)模紀錄。

新增投資方包括光谷金控、浙江國改基金、中平資本、中建材新材料產業(yè)基金、中金資本旗下基金、海通并購基金、國元金控集團旗下基金、魯信創(chuàng)投、東風資產、建信信托、十月資本、華安嘉業(yè)、中互智云、寶樾啟承、云岫資本等，涵蓋實力地方國資、產業(yè)資本、頂級投資機構。老股東長飛光纖、天興資本等本輪持續(xù)追加。

文章來源：長飛先進半導體

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