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作者：Gail Overton

基于過去在1.7µm像素尺寸的微型CMOS成像器方面所取得的晶圓級封裝突破，目前，德國夫瑯和費可靠性與微集成研究所和Awaiba GmbH公司的研究人員報道了用于內窺鏡的微型CMOS相機。^[1]該相機采用“穿透硅通孔”（Through-silicon vias，TSV）設計，從而實現(xiàn)了傳感器和成像光學元件完全在晶圓級的集成。^[2]采用這種方法制成的低成本、超微型CMOS相機只有1mm³大小，這無疑使一次性使用的內窺鏡成為現(xiàn)實。

晶圓級封裝

穿透硅通孔技術已經為成像傳感器實現(xiàn)真正的晶圓級封裝提供了顯著幫助。在該技術出現(xiàn)以前，成像傳感器的電氣連接是通過導線實現(xiàn)的，由于光學組件需要同時容納傳感器和橫向伸出的焊絲，因此相機的尺寸較大。對于前端成像器而言，采用倒裝芯片的方法也是不可行的，因為將傳感器粘合到不透明的襯底上，會阻擋來自傳感器的入射光。有了穿透硅通孔技術后，便可以將傳感器的電氣連接移到器件的背面，這樣傳感器的有源區(qū)就不會被遮擋。相機的物鏡（包括透鏡、光闌以及濾光片）可以直接置于傳感器芯片上，這樣既能節(jié)省空間，又實現(xiàn)了與其他它封裝技術不同的、真正的晶圓級相機。

封裝過程從CMOS傳感器開始。首先將傳感器的有源面通過紫外固化膠粘合到玻璃襯底上，然后將CMOS晶圓的厚度加工到40µm。玻璃襯底不僅對傳感器起到保護作用，而且還貫穿于整個加工過程，因此必須在最終相機的光學設計中也對其加以考慮。隨后，在40µm厚的傳感器晶圓的背面，通過等離子體刻蝕法實現(xiàn)穿透硅通孔�？涛g錐形的穿透硅通孔，可以簡化聚合物交叉介電層的沉積。介電層可以通過自旋涂敷沉積。接下來，通過等離子體刻蝕清除傳感器鋁墊上的氧化物，以實現(xiàn)電氣連接。之后，對器件進行標準化鍍銅，厚度為5µm。最后一步是加工作為鈍化層和凸緣的聚合物層。凸緣通過35µm高的金鍍層實現(xiàn)，也可以采用常規(guī)的凸緣冶金技術實現(xiàn)。

由于電氣連接移到了成像傳感器的背面，現(xiàn)在微型相機的成像部分或者說是晶圓級光學元件部分能夠得以實現(xiàn)。根據(jù)光學設計要求的不同，可以采用多種工藝制造鏡頭�？梢岳�用最原始的金剛石研磨模具，通過聚合物復制微透鏡陣列。如果球面鏡不是太厚，還可以在玻璃中刻蝕。光闌通過結構化鉻層實現(xiàn)。透鏡和光闌分別制造，并膠粘到晶圓上。在集成過程中，大約25,000個微型相機（每個相機有62,500個像素）可以通過一步實現(xiàn)集成（如圖）�？紤]到采用光纖束制成的最佳內窺鏡僅有3,000個成像像素，因此上述該集成效果確實令人驚嘆。

圖1：穿透硅通孔技術可以實現(xiàn)比火柴頭還要小的低成本CMOS相機。

 夫瑯和費研究所的項目負責人Martin Wilke表示：“對于那些對相機尺寸有著苛刻要求的應用而言，我們的相機集成技術具有廣闊的前景。目前，我們尚不能將該技術應用于百萬像素手機中，因為進一步增加像素會導致晶圓級光學元件的集成變得十分復雜。但是，我們已經在醫(yī)療市場看到了巨大的應用前景，并且也在汽車行業(yè)和機器視覺領域發(fā)現(xiàn)了一些有趣的應用。”

參考文獻

1. M. Wilke et al., Proc. 7th Intl. Wafer Level Packaging Conf. 2010, Santa Clara, CA, 96–102 (October 2010).
       2. M. Wilke et al., “Prospects and Limits in Wafer-Level-Packaging of Image Sensors,” presented at ECTC 2011 – Electronic Components and Technology Conference, Lake Buena Vista, FL (May 2011).