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44 W超高功率808 nm半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì)與制作
材料來(lái)源:激光世界           錄入時(shí)間:2016/1/28 15:36:41

/仇伯倉(cāng),胡海,何晉國(guó);深圳清華大學(xué)研究院,深圳瑞波光電子有限公司

 

808 nm9xx nm為代表的高功率激光器件已經(jīng)成為激光加工系統(tǒng)的核心部件。高功率激光芯片有若干重要技術(shù)指標(biāo),包括能量轉(zhuǎn)換效率以及器件的運(yùn)行可靠性等。能量轉(zhuǎn)換效率主要取決于芯片的外延結(jié)構(gòu)與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),而運(yùn)行可靠性主要與芯片的腔面處理工藝有關(guān)。本文首先簡(jiǎn)要綜述高功率激光器的設(shè)計(jì)思想以及腔面處理方法,隨后展示深圳清華大學(xué)研究院和深圳瑞波光電子有限公司在研發(fā)808 nm高功率單管激光芯片方面所取得的主要進(jìn)展。

 

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http://www.laserfocusworld.cn/PDF/2016/0102/Technologies_Center.pdf

 


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