利用半導體激光器直接發(fā)射出532nm激光是非常困難的。藍色和綠色半導體激光器一般是在發(fā)光的“活性層”采用InGaN的GaN類半導體激光器。日亞化學工業(yè)的藍色和綠色半導體激光器也是這樣的。 

 采用InGaN的激光器在將藍色光轉換成長波長的綠色光時，會提高In組成比。這在技術上很難提高光輸出功率。日亞化學工業(yè)改善了綠色半導體激光器的特性，采用振蕩波長532nm，在驅動電壓（Vf）4.72V、驅動電流（If）1.6A、室溫（25℃）環(huán)境下連續(xù)振蕩時，實現(xiàn)了0.87W的光輸出功率。雖然光輸出功率還不到1W，但在振蕩波長為532nm的綠色半導體激光器中已經很高了。 

該綠色半導體激光器采用了GaN類半導體激光器一般采用的GaN結晶的“c面”、也就是“極性面”。這證明即使不采用容易提高綠色半導體激光器輸出功率的GaN結晶的“半極性面”和“非極性面”，也可以獲得接近1W的光輸出功率�，F(xiàn)在，半極性及非極性面的GaN基板都很小，難以提高生產效率，因此很難降低成本。因此，日亞化學工業(yè)選擇了c面。 

532nm產品的發(fā)光效率“WPE（插頭效率，光輸出功率除以輸入功率）”約為11.5％。閾值電流為0.28A，閾值電流密度為1.55kA/cm²。 

 另外，532nm波長在色域標準“ITU-R BT.2020”所規(guī)定的色域中是綠色的標準波長，因此日亞化學工業(yè)認為，轉換成532nm波長對影像設備用途至關重要。