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750W 976nm 220μm鎖波長高亮度半導體激光器 產(chǎn)品性能(水冷25℃): 中心波長:976±0.5nm 輸出功率:≥750W 光纖芯徑:220μm 光譜寬度:≤0.5nm 溫漂系數(shù):0.02nm/℃ 電光轉換效率:≥50% 輸出光NA(95%):≤0.17 防反波段:1030~1200nm 產(chǎn)品亮點: 1.20~35℃水冷條件下,高功率全電流鎖定。 2.高亮度、小NA的設計,極大的避免合束時引發(fā)的高溫問題,為下游使用創(chuàng)造有利條件。 3.殼體高兼容性,輕量化結構版本產(chǎn)品同步發(fā)行,散熱性能優(yōu)良,既輕又可靠。 4.模塊采用獨特的散熱設計,溫度分布更均勻,芯片結溫低,熱風險低,可靠性升級。
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