近日，山東華光光電子股份有限公司兩項新技術取得突破，經山東電子學會組織專家進行鑒定，評價為國際先進水平。

01 十萬瓦級面陣用808nm激光器巴條研發(fā)及產業(yè)化

本項目攻克了高應變量子阱外延結構設計、多層應力補償復合金屬結構設計、低位錯腔面鈍化等關鍵技術，研制的高功率巴條可用于十萬瓦級面陣模塊，實現(xiàn)單巴條輸出功率提升74%、效率提升8%，具有大脈沖能量和高峰值功率，助力國內高端十萬瓦級以上半導體激光泵源的性能迭代。

經山東電子學會科技成果評價，專家一致認為該成果在芯片波導結構、電極結構以及腔面鈍化結構方面具有創(chuàng)新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

02 高光反饋抗性880nm激光器芯片關鍵技術及產業(yè)化

本項目突破了低應力高臺階覆蓋度電極技術，設計了多層梯度金屬結構，使芯片側向梯度溫度降低，減少發(fā)光區(qū)與周圍溫度差，降低應力對發(fā)光區(qū)的影響，輸出功率 由15W提升到18W ，提升了20%，研發(fā)出的高功率880nm激光器芯片與國際標桿廠商產品水平相當。

經山東電子學會科技成果評價，專家一致認為成果在量子阱外延結構、應力補償以及腔面鈍化方面具有創(chuàng)新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

這兩項新技術的發(fā)布進一步體現(xiàn)了華光光電在半導體激光器泵源領域的技術實力和創(chuàng)新能力，華光光電將以此為契機，持續(xù)加強重要技術創(chuàng)新，不斷提升企業(yè)核心競爭力，以半導體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國際先進的光電子產品提供商和領先的解決方案服務商。

這兩項新技術的發(fā)布進一步體現(xiàn)了華光光電在半導體激光器泵源領域的技術實力和創(chuàng)新能力，華光光電將以此為契機，持續(xù)加強重要技術創(chuàng)新，不斷提升企業(yè)核心競爭力，以半導體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國際先進的光電子產品提供商和領先的解決方案服務商。

文章來源：華光光電

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