據美國物理學家組織網近日報道，美國加利福尼亞大學伯克利分�？茖W家利用新技術直接在硅表面生長出了極微小的納米柱，形成一種亞波長激光器，這一成果將為制造納米光學設備如激光器、光源檢測儀、調制器、太陽能電池等帶來新的突破。

　　硅材料奠定了現(xiàn)代電子學的基礎，但它在發(fā)光領域還有很多不足之處。工程人員轉向了另外一族名為III-V半導體的新材料，以此來制造光基元件，如發(fā)光二極管和激光器。

　　加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員通過金屬—有機化學蒸發(fā)沉積的方法，在400攝氏度條件下，用一種III-V族材料銦鎵砷在硅表面生長出納米柱。這種納米柱有著獨特的六角形晶體結構，能將光線控制在它微小的管中，形成一種高效導控光腔。它能在室溫下產生波長約950納米的近紅外激光，光線在其中以螺旋形式上下傳播，經過光學上的相互作用而得以放大。

　　研究人員指出，將III-V和硅結合制成單一的光電子芯片面臨的最大障礙是，目前制造硅基材料的工業(yè)生產設備無法與制造III-V設備兼容。“要讓III-V半導體在硅表面上生長，與硅制造設備兼容是關鍵，但由于經濟和技術方面的原因，目前的硅電子生產設施很難改變。我們選用了一種能和CMOS（互補金屬氧化半導體，用于制造集成線路）兼容的生長工藝，在硅芯片上成功整合了III-V納米激光器。傳統(tǒng)方法生長III-V半導體，要在700攝氏度或更高溫度下進行，這會毀壞硅基電子元件。而新工藝在400攝氏度下就能生長出高質量III-V材料，保證了硅基電子元件正常發(fā)揮功能。”主要研究人員、加州大學伯克利分校電學工程與計算機科學教授康妮·張-哈斯南說。

　　張-哈斯南還指出，這種亞波長激光器技術將對多科學領域產生廣泛影響，包括材料科學、晶體管技術、激光科學、光電子學和光物理學，促進計算機、通訊、展示和光信號處理等領域光電子學的革命。“最終，我們希望加強這些激光的特征性能，以實現(xiàn)光子和電子設備的結合。”