據(jù)悉，臺(tái)灣一專(zhuān)家研究小組研發(fā)了一種能改善氮砷化銦鎵（InGaAsN）及砷化鋁鎵（AlGaAs）激光二極管性能的銻鈍化技術(shù)。

通過(guò)改變含氮量，銦鎵砷氮量子井為協(xié)調(diào)放射波長(zhǎng)提供了一簡(jiǎn)單途徑。然而，其對(duì)被需要為光覆層創(chuàng)造高折射率的鋁元素非常敏感。銦鎵砷氮鋁圖層中包含的光學(xué)腐蝕及表面粗糙度因門(mén)限電流較低而阻礙了激光二極管性能的改善。

銦鎵砷氮（InGaAsN）主要用作量子井，周?chē)�被砷化鎵覆蓋。銦鎵砷氮 (InGaAsN)屬四元半導(dǎo)體化合物，是新一代半導(dǎo)體長(zhǎng)波長(zhǎng)光電子材料，是制備光通訊、光互聯(lián)等多種用途新一代光電子器件的理想材料。將比現(xiàn)有的商用磷化銦基材料和器件的成本更低、性能更穩(wěn)定，更有利于制備規(guī)模化半導(dǎo)體單片光子、光電子功能集成器件，市場(chǎng)應(yīng)用前景廣闊。隨著互聯(lián)網(wǎng)等信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，高速、大容量光纖通訊網(wǎng)絡(luò)的市場(chǎng)需求逐年成倍增長(zhǎng)，發(fā)展適于光通訊波段的砷化鎵基新一代半導(dǎo)體材料和光子集成器件已經(jīng)成為國(guó)際學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界研發(fā)的熱點(diǎn)。鎵銦氮砷/鎵砷量子阱長(zhǎng)波長(zhǎng)探測(cè)器和激光器材料制備技術(shù)難度很大，是近年來(lái)歐、美、日等發(fā)達(dá)國(guó)家的研究重點(diǎn)，競(jìng)爭(zhēng)非常激烈。