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半導體制造的關鍵:晶圓檢測技術的演變與突破
材料來源:Coherent高意激光          

NASA 用于登月的阿波羅制導計算機(AGC)于20世紀60年代制造,當時耗資約1.5 億美元(按今日幣值計算約為10億美元)。它的體積大約相當于一臺微波爐,重量約為32公斤。

如今,一款頂配的iPhone 15售價1600美元,可以輕松握在手中。而且,就每秒可執(zhí)行的運算數(shù)量而言,這款iPhone的性能比AGC強大約2億倍。

英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾曾預測微處理器性能會提升。他提出,微芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年會翻一番。而此處提到的對比也凸顯了摩爾定律的一個重要推論,有時被稱為摩爾第二定律。即,單位美元所能買到的微處理器性能也會隨時間呈指數(shù)級增長。

摩爾第一定律和第二定律都經(jīng)住了時間的考驗,因為半導體行業(yè)一直在同時努力實現(xiàn)兩個不同的目標。一是讓電路元件和組件變得更小。第二是不斷降低成本。

半導體制造的一個關鍵成本因素是良率,而影響良率的一個重要因素是生產(chǎn)環(huán)境中的缺陷和污染物。為了減少缺陷,制造商在設備方面投入了大量資金,例如,打造無塵室環(huán)境,從源頭就防止污染。此外,他們還部署了先進的檢測技術,用于探測缺陷并最大限度地減少由已發(fā)生缺陷產(chǎn)生的影響,從而確保最佳良率和成本效率。

晶圓檢測中的激光技術

激光是半導體檢測的理想手段,因為它是一種非接觸式方法,兼具無與倫比的靈敏度和速度。此外,激光具有高度通用性,經(jīng)過優(yōu)化后可執(zhí)行各種不同的檢測任務。

因此,從微電子工業(yè)早期開始,激光就被用于檢測。20世紀60年代末,激光技術剛投入市場后不久,就已被用于測量晶圓平整度和厚度等計量任務。

20 世紀 80 年代,隨著半導體器件變得更小、更復雜,業(yè)界開始采用其他基于激光的檢測方法。這類檢測方法將激光束對準晶圓表面,并分析返回的光用以檢測缺陷,比如Particle、劃痕和圖案偏差。這一時期見證了更復雜的激光檢測系統(tǒng)發(fā)展,這些系統(tǒng)能夠檢測越來越小的缺陷,這對高質(zhì)量的半導體制造來說至關重要。

在接下來的幾十年里,隨著散射測量法和其他先進計量技術的引入,基于激光的檢測方法取得了重大進步。散射測量法采用激光分析從晶圓表面反射的光模式,從而能夠檢測到以前無法探測到的細微缺陷。

為何集成電路小型化

給檢測帶來巨大挑戰(zhàn)

隨著每一代芯片的演進,晶圓檢測變得越來越關鍵且更具挑戰(zhàn)性。隨著工藝節(jié)點尺寸的減小,芯片架構(gòu)變得更加復雜,包括引入新型材料,以及更小、更精密的特征。這些進步拓展了性能邊界,卻也為新型缺陷的產(chǎn)生創(chuàng)造了機會。工作在這么小的尺度下,即使是晶圓上最微小的缺陷也可能導致芯片功能失效。

因此,制造商必須在每個工藝步驟后做嚴格的檢測,以便盡早發(fā)現(xiàn)缺陷。執(zhí)行這些檢測有助于優(yōu)化良率(每片晶圓的可用芯片)、吞吐率(生產(chǎn)速度)以及最終的盈利能力。

更小的電路特征尺寸顯著增加了檢測需求,采用激光檢測技術通常是最好的方案。

這里需要理解的一個關鍵概念是,要挑戰(zhàn)缺陷檢測的極限,需要使用波長更短的激光。這是因為,對于待檢測的電路特征或缺陷,光散射的效率取決于光波長與其尺寸之間的相互關系。當特性尺寸遠小于光波長時,散射效率會降低,這些特性或缺陷發(fā)出的信號會減弱。這意味著無法檢測到缺陷,至少在大批量半導體制造的相關工藝時間范圍內(nèi)無法檢測到。

由于光散射和缺陷尺寸之間的關系,需要使用波長更短的激光來檢測更小的缺陷。目前,266納米波長的激光被用于執(zhí)行最嚴苛的晶圓檢測任務。

二十年前,當晶體管尺寸為110 nm或更大時,可見光波段綠光激光器(532 nm)和紫外(UV)激光器足以勝任缺陷檢測。隨著電路特征尺寸縮小,需要使用波長更短的激光來檢測越來越小的缺陷。這種轉(zhuǎn)變推動了行業(yè)向深紫外(DUV)激光方案發(fā)展。

Coherent高意在2002年推出了開創(chuàng)性的Azure激光器(266 nm)來應對這一挑戰(zhàn)。該激光器利用光泵浦半導體 (OPS) 技術產(chǎn)生綠光,然后通過倍頻技術輸出深紫外光(266納米)。 

Azure 激光器能夠輸出單色且頻率穩(wěn)定的連續(xù)波(CW)。憑借其波長范圍窄、功率高、噪聲低、極高穩(wěn)定性的特點,Azure 激光器能夠高速可靠地檢測出微小缺陷,滿足高吞吐率半導體制造的要求。

Coherent 高意能夠制造出高性能、高壽命、高可靠性的深紫外激光器并因此脫穎而出。之所以能做到這一點,有以下原因:

首先,我們自行生產(chǎn)非線性晶體。激光工作在深紫外波段,需要使用制造精度極高的高質(zhì)量晶體。為滿足倍頻晶體所需的品質(zhì)水平,我們唯一的選擇是自己生產(chǎn)。

其次,我們在激光器內(nèi)部的光學底座上采用了專利PermAlign結(jié)構(gòu)。這些底座具備卓越的長期穩(wěn)定性,這意味著無需對其做后續(xù)調(diào)整。PermAlign 底座使我們能夠密封激光諧振腔。對于諧振腔,任何從外部進入的環(huán)境污染物都可能影響激光器性能,PermAlign 底座是實現(xiàn)有效預防的關鍵措施。此外,激光器最初是在無塵室條件下使用半自動方法裝配的,這避免了在源頭造成污染。并確保了各臺激光器之間的高度一致性。

對工藝過程中的晶圓吸盤

進行部件合格性(通過/不通過)檢查。

晶圓檢測的另一個要求是高速運動和部件處理機制,以及極其穩(wěn)定的表面(以最大限度地減少測量噪音)。我們?yōu)楣ぷ髋_和其他工具提供反應燒結(jié)碳化硅(RBSiC),該材料具備低熱膨脹系數(shù)(CTE)、高強度和高強度重量比等獨特優(yōu)勢,能夠滿足最嚴苛的檢測系統(tǒng)需求。

未來展望

隨著半導體行業(yè)向更小的節(jié)點尺寸發(fā)展,對檢測工藝使用的激光器要求變得更加嚴格。

幸運的是,這與我們的核心優(yōu)勢完全一致。我們與先進的半導體設備制造商保持密切合作,確保我們的產(chǎn)品不僅滿足當今的半導體制造工藝需求,而且可以預見未來。

因此,無論是現(xiàn)在還是未來,Coherent高意致力于幫助半導體制造商克服檢測工藝的挑戰(zhàn)。

文章來源:Coherent高意激光

注:文章版權(quán)歸原作者所有,本文僅供交流學習之用,如涉及版權(quán)等問題,請您告知,我們將及時處理。


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