據(jù)韓媒etnews報道，三星電子和SK海力士已經(jīng)開始進行高帶寬存儲器（HBM）晶圓的工藝技術(shù)轉(zhuǎn)換，這一轉(zhuǎn)換以防止晶圓翹曲的新技術(shù)引入為核心，被認為是針對下一代HBM。預(yù)計隨著工藝轉(zhuǎn)換，材料和設(shè)備供應(yīng)鏈也將發(fā)生變化。

據(jù)悉三星電子和SK海力士，最近正在與合作伙伴一起開發(fā)將HBM用晶圓剝離（解鍵合）工藝改為激光方法。

晶圓解鍵合是在工藝中將變薄的晶圓從臨時載片上分離出來的工作。半導(dǎo)體制造過程中，主晶圓和載體晶圓是通過粘合劑粘在一起的，然后用刀片剝離，因此被稱為機械解鍵合。

隨著HBM的層數(shù)增加，如12層或16層，晶圓變得更薄，使用刀片分離的方法面臨極限。晶圓厚度小于30微米時，擔(dān)心會損壞晶圓，因此蝕刻、拋光、布線等工藝步驟增加，同時需要使用適應(yīng)超高溫環(huán)境的新型粘合劑，這也是兩家公司選擇使用激光而不是傳統(tǒng)機械方式的原因。

熟悉該問題的相關(guān)行業(yè)人士解釋說：“為了應(yīng)對極限工藝環(huán)境，需要更強的粘合劑，而這種粘合劑無法通過機械方式分離，因此引入了激光這一新技術(shù)”，并表示“這是為了穩(wěn)定地分離主晶圓和載體晶圓的嘗試”。

三星電子和SK海力士正在考慮使用極紫外（EUV）激光和紫外線（UV）激光等多種方式。

激光解鍵合被認為將首先引入到16層HBM4。HBM4在堆疊DRAM存儲器的底部使用基于系統(tǒng)半導(dǎo)體的“基礎(chǔ)芯片”，因此需要更精細的工藝和更薄的晶圓，因此激光方式被認為是合適的。

當(dāng)應(yīng)用激光時，相關(guān)的材料和設(shè)備供應(yīng)鏈變化是不可避免的。現(xiàn)有的機械方式由日本東京電子和德國SÜSS MicroTec占據(jù)市場前兩位。激光方式可能會有更多的設(shè)備企業(yè)進入，預(yù)計將展開激烈的爭奪戰(zhàn)。

晶圓解鍵合粘合劑主要由美國3M、日本信越化學(xué)、日產(chǎn)化學(xué)、TOK等供應(yīng)。據(jù)悉，這些公司也在開發(fā)可以用于激光方式而不是現(xiàn)有機械方式的新型粘合材料。

文章來源：集微網(wǎng)

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